型号:ZXMN6A09GTA | 类别:FET - 单 | 制造商:Diodes Inc |
封装:TO-261-4,TO-261AA | 描述:MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223 |
系列 | - |
制造商 | Diodes Inc |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5.4A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 40 毫欧 @ 8.2A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 24.2nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 1407pF @ 40V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商设备封装 | SOT-223 |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
深圳市耿芯泰电子科技有限公司 | 方0755-83089867 |
深圳市恒天华科技有限公司 | 邓0755-83793312 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市金芯阳科技有限公司 | 刘生075584505750 |
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